imecは、Cu対CuおよびSiCN対SiCNのダイとウェハのハイブリッド接合プロセスを、米国コロラド州デンバーで開催された「2024 IEEE Electronic Components and Technology Conference(ECTC)」にて発表した。 同プロセスでは、2μmのCuボンドパッドピッチにおいて、ダイ対ウェハオーバーレイエラーは350nm未満となり、良好な電気歩留まりを …
imecは、Cu対CuおよびSiCN対SiCNのダイとウェハのハイブリッド接合プロセスを、米国コロラド州デンバーで開催された「2024 IEEE Electronic Components and Technology Conference(ECTC)」にて発表した。 同プロセスでは、2μmのCuボンドパッドピッチにおいて、ダイ対ウェハオーバーレイエラーは350nm未満となり、良好な電気歩留まりを …