GaAs 2次元電子系上に半導体量子ドットを形成 東京大学生産技術研究所の黒山和幸助教や平川一彦教授らによる研究グループと、同大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構の荒川泰彦特任教授、權晋寛特任准教授らによる研究グループは2024年2月、光と電子の性質を併せ持つハイブリッドな量子結合状態を生成することに成功したと発表した。数個の電子とテラヘルツ電磁波の両方を半導体ナノ構造中に閉じ込め、強く相互作 …
GaAs 2次元電子系上に半導体量子ドットを形成 東京大学生産技術研究所の黒山和幸助教や平川一彦教授らによる研究グループと、同大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構の荒川泰彦特任教授、權晋寛特任准教授らによる研究グループは2024年2月、光と電子の性質を併せ持つハイブリッドな量子結合状態を生成することに成功したと発表した。数個の電子とテラヘルツ電磁波の両方を半導体ナノ構造中に閉じ込め、強く相互作 …