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ビシェイ・インターテクノロジーは2024年2月、30Vの「NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET」の製品として「SiSD5300DN」を発表した。性能指数FOM(オン抵抗と容量成分の積)が42mΩ×nCと従来比で35%改善し、電力変換アプリケーションで省エネに貢献する。 スイッチング面積を最小化し、トレースノイズの影響を軽減した。ソースパッドの寸法が4.13mm2と従来品「S …