もっと詳しく

東京大学(東大)は4月26日、不揮発性の「磁気抵抗メモリ」(MRAM)の次世代材料として開発した、マンガンとスズの合金であるワイル反強磁性体「Mn3Sn」の磁気秩序が、強磁性層の磁気状態安定化のために現行の強磁性体を用いたMRAMでも使われている界面磁気結合効果の「交換バイアス」により制御可能であることを発見したと発表した。 同成果は、東大大学院 理学系研究科 物理学専攻の朝倉海寛大学院生、同・肥 …