東京工業大学の施宇豪大学院生と辻昌武特任助教、細野秀雄特命教授らは、パラジウム電極内部に水素を透過させて酸化物半導体との界面を還元する手法を開発した。薄膜トランジスタの接触抵抗を3ケタ低減できた。メモリーの高速化と大容量化につながる。 アモルファス酸化物半導体トランジスタ(IGZO―TFT)の用途を薄型ディスプレーからメモリーに広げる。ディスプレーではトランジスタのサイズは数十マイクロメートル(マ …
東京工業大学の施宇豪大学院生と辻昌武特任助教、細野秀雄特命教授らは、パラジウム電極内部に水素を透過させて酸化物半導体との界面を還元する手法を開発した。薄膜トランジスタの接触抵抗を3ケタ低減できた。メモリーの高速化と大容量化につながる。 アモルファス酸化物半導体トランジスタ(IGZO―TFT)の用途を薄型ディスプレーからメモリーに広げる。ディスプレーではトランジスタのサイズは数十マイクロメートル(マ …