名古屋大学のダシヤン・アルン・クマール特任講師と石川健治教授、堀勝特任教授らは、窒化ガリウム(GaN)の低温成長法を開発した。プラズマで窒素ラジカルなどを供給する。原料をアンモニアから窒素と水素に置き換えられる。アンモニアは生産コストの3―5割を占めていた。パワー半導体製造の低コスト化につながる。 窒素と水素のガスをプラズマ処理して窒素ラジカルなどを生成する。基板上でガリウムなどの有機金属と反応し …
名古屋大学のダシヤン・アルン・クマール特任講師と石川健治教授、堀勝特任教授らは、窒化ガリウム(GaN)の低温成長法を開発した。プラズマで窒素ラジカルなどを供給する。原料をアンモニアから窒素と水素に置き換えられる。アンモニアは生産コストの3―5割を占めていた。パワー半導体製造の低コスト化につながる。 窒素と水素のガスをプラズマ処理して窒素ラジカルなどを生成する。基板上でガリウムなどの有機金属と反応し …