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最近の半導体業界では、シリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの新しいワイドバンドギャップ(WBG)材料を使用したデバイスに関するニュース報道や議論が多くなっています。このように注目されると、ほんの数年前まで、多くのアプリケーションで好まれていたソリューションが絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)であったことを忘れがちです。 IGBTを使用した中・大電力アプリケーションは …