信越化学工業は3日、窒化ガリウム(GaN)を使う半導体専用の製造基板(ウエハー)の直径を従来比1・5倍の300ミリメートルに大型化し、サンプル供給を始めたと発表した。高品質な厚膜GaNエピタキシャル成長を実現する。需要が高まっているデータセンター(DC)で使う次世代半導体などの製造用材料として供給する。状況をみて量産する。 結晶の上に結晶質の薄膜を成長させるエピタキシャル成長の工程を効率化する際、 …
信越化学工業は3日、窒化ガリウム(GaN)を使う半導体専用の製造基板(ウエハー)の直径を従来比1・5倍の300ミリメートルに大型化し、サンプル供給を始めたと発表した。高品質な厚膜GaNエピタキシャル成長を実現する。需要が高まっているデータセンター(DC)で使う次世代半導体などの製造用材料として供給する。状況をみて量産する。 結晶の上に結晶質の薄膜を成長させるエピタキシャル成長の工程を効率化する際、 …