GdOとCaF2の間に酸化カルシウム層を挿入、格子定数差をなるべく解消 東北大学や東京都立大学、東京大学らによる研究グループは2024年5月、準安定で高純度の酸化ガドリニウム(GdO)薄膜の合成に成功。このGdOが強磁性体で、キュリー温度は最高303K(30℃)であることを確認したと発表した。異常ホール効果を示すことから、スピントロニクス材料として期待する。 強磁性体は次世代メモリに向けたスピンロ …
GdOとCaF2の間に酸化カルシウム層を挿入、格子定数差をなるべく解消 東北大学や東京都立大学、東京大学らによる研究グループは2024年5月、準安定で高純度の酸化ガドリニウム(GdO)薄膜の合成に成功。このGdOが強磁性体で、キュリー温度は最高303K(30℃)であることを確認したと発表した。異常ホール効果を示すことから、スピントロニクス材料として期待する。 強磁性体は次世代メモリに向けたスピンロ …