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最先端半導体の生産に欠かせない極端紫外線(EUV)露光技術が次世代へとシフトしようとしている。光の利用効率の指標となる開口数(NA)を、現行の0.33から0.55へ高める「高NA」と呼ばれる技術がそれだ。 高NAのEUV露光は2ナノメートル(ナノは10億分の1、nm)世代以降の微細化に欠かせないとされ、2020年代の半ばから後半にかけて量産が始まる見通しだ。 米インテルは23年末、世界初となる高. …