物質・材料研究機構の周偉男ICYSリサーチフェローと桜庭裕弥グループリーダーらは、横型熱電材料の性能を約2倍に向上させた。シリコンの上に鉄ガリウムを成膜する単純な構造で1ケルビン当たり15・2マイクロボルト(マイクロは100万分の1)の電力を発生する。従来材料は同8マイクロボルトだった。材料探索の幅を広げて性能を向上させる。 温度勾配に沿って起電力が生じるゼーベック電界を磁性材料の異常ホール効果で …
物質・材料研究機構の周偉男ICYSリサーチフェローと桜庭裕弥グループリーダーらは、横型熱電材料の性能を約2倍に向上させた。シリコンの上に鉄ガリウムを成膜する単純な構造で1ケルビン当たり15・2マイクロボルト(マイクロは100万分の1)の電力を発生する。従来材料は同8マイクロボルトだった。材料探索の幅を広げて性能を向上させる。 温度勾配に沿って起電力が生じるゼーベック電界を磁性材料の異常ホール効果で …