次世代メモリ材料における水素の拡散運動を解明 (EE Times Japan)

高密度抵抗変化型メモリ(ReRAM)の開発に期待 東北大学と茨城大学、高エネルギー加速器研究機構(KEK)および物質・材料研究機構(NIMS)らの研究グループは2024年3月、素粒子「ミュオン」を用いて、二酸化バナジウム(VO2)における水素の拡散運動を解明したと発表した。研究成果は高密度の抵抗変化型メモリ(ReRAM)開発につながる可能性が高いとみられる。 次世代メモリ材料として注目されているV …