300ギガヘルツ帯の送信機をシリコンCMOSプロセスで開発した=東工大提供 東京工業大学とNTTの研究チームは300ギガ(ギガは10億)ヘルツという高周波の電波をやりとりする送信機を開発した。すべての機能を安価で標準的なシリコンの半導体製造プロセスでつくった。従来品の多くは高価な化合物半導体が使われている。次世代の無線通信規格「6G」などでの活用が見込まれる。 スマートフォンなどの通信に使われる現 …
300ギガヘルツ帯の送信機をシリコンCMOSプロセスで開発した=東工大提供 東京工業大学とNTTの研究チームは300ギガ(ギガは10億)ヘルツという高周波の電波をやりとりする送信機を開発した。すべての機能を安価で標準的なシリコンの半導体製造プロセスでつくった。従来品の多くは高価な化合物半導体が使われている。次世代の無線通信規格「6G」などでの活用が見込まれる。 スマートフォンなどの通信に使われる現 …